★原形毕露 假30nm 4G金条上机测试
40-60nm制造工艺的DDR3内存维持在1333MHz标准频率,如果需要超频至1600MH在,则需要加压至1.55V-1.65V。而30nm DDR3内存不但无需提高电压即可完美支持1600MHz频率,甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。
那么假三星30nm 4GB DDR3-1333金条的真实面目是什么呢?我们将其上机测试一探究竟。
正品--M379B5273DH0-YK0;假条--M378B5273DHO-CH9
笔者所用平台以及三星正品30nm 4GB内存识别信息(点击图片放大)
正品三星30nm 4GB DDR3-1600窄版内存的编号为M379B5273DH0-YK0,于2011年第39周生产。和内存标签内容相符合。
真假三星两款30nm 4GB内存的CPU识别信息(点击图片放大)
我们通过对比,正品三星30nm 4GB DDR3-1600窄版内存的工作电压只有1.28V,并且支持DDR3-1600MHz频率。而假三星30nm 4GB DDR3-1333金条只能工作在1.5V电压,并且默认频率只有1333MHz。
假条明明采用30nm内存颗粒,为何不支持DDR3-1600MHz频率?原因在于代工厂家深知非良品的30nm颗粒无法长期稳定工作在1600MHz,因此通过降低运行频率提高假条的运行稳定性。
频率提不上去可以理解,那么为何假条和窄版内存同样采用30nm,却无法工作在1.28V呢?由于三星全新30nm内存采用窄版节能设计,并且独特的电气孔和走线设计,信号通过用料实足的铜板层以及铜丝走线,其电流和传输信号衰减得到有效控制,可以有效降低工作电压。假条代工厂可以模仿外观,但是内部设计和工艺则无法望其项背,因此只能采用早前版本的4GB DDR3-1333 SPD信息。
正品三星窄版内存所具有的独特品质,不是假条借助同样的30nm内存颗粒就能企及的!
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