30nm工艺 三星2G DDR3 1600内存解析

    广大网友对DDR3-1600MHz台式机内存并不陌生，在超频内存我们就能看到其身影。但是需要说明的是，40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存，无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率，因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.65伏。而30nm DDR3内存则无需提高电压即可完美支持1600MHz频率，因此具有更高的稳定性和超频潜力。近日，笔者收到三星送测的首款30纳米制造工艺的2GB DDR3-1600原厂内存，下面就一起了解一下该款产品。

三星30纳米2GB DDR3-1600内存包装外观

    三星30纳米2GB DDR3-1600内存采用灰色搭配蓝色的背景纸板，内存密封在牢固的透明硬质ABS塑胶壳内，起到很好的防尘、防潮效果。

 
三星30纳米2GB DDR3-1600内存颗粒

    三星30纳米2GB DDR3-1600内存的颗粒芯片编号为K4B2G0846D的原厂颗粒，比40-60纳米的传统芯片体积更为小巧，发热量更低。

三星30纳米2GB DDR3-1600内存背板

    从相关参数可以看出，三星30纳米2GB DDR3-1600内存单条容量为2GB，其颗粒芯片采用30纳米工艺制造，运行频率为DDR3-1600（等效于PC3-12800），标准时序11-11-11-28。其编号为M379B5773CH0-YK0，于2011年第34周产于韩国三星内存工厂。

三星30纳米2GB DDR3-1600内存

    编辑总结：三星30纳米2GB DDR3-1600是目前首款采用30纳米工艺颗粒芯片的内存，拥有更低的功耗和更小发热量。此款内存出自三星原厂，是业界顶级做工的产品之一，用料十足且工艺严谨，具有高可靠性和兼容性。