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DRAM一周谈
市场回顾
DDRI小幅区间震荡走势 DDRII下跌压力依然存在
从上周整体来看,由于上游供货商依然坚守价格,并有限的向市场上放货,但是又缺乏采购商补货动作,因此使的价格处在僵持的阶段。从国内需求来看,由于CPU的降价延续,导致了一些装机商处在观望的过程中,暑假的补货动作又不明显。所以从通路商的拿货来看,在DDR UTT 32Mx8报价 $ 2.35以上,国内的采购基本上处在停滞的动作。在 $ 2.35以下国内的采购量也只是维持正常需求采购,没有出现大量的补仓动作。从这可以看出,需求不够理想,报价过于偏高,也不适合回补库存。由于UTT价格报价基本上与Hynix及Samsung产品价格接近,现货市场上对Hynix 64Mx8 DDR400关注有所增加。
DDRII方面由于月底压力,而需求又不明显,现货市场上推广也有所缓慢,价格继续下调。UTT 64Mx8 DDR2 667下跌了 $ 0.10而跌至 $ 3.50,而256MB以及512MB DDR2 Hynix模组价格分别逐渐降至 $ 18.50和 $ 38.50。
SDRAM方面,上周需求有所显现,交易活动明显增多,特别是4Mx16 以及 8Mx16产品方面。
市场预测
DDRI暑假效应不明显,价格会有所偏软;DDRII月底压力显现,价格不乐观
从DDRI来看,上游的供货商认为暑假补货动作会出现,价格较为坚挺。但是从国内现货市场来看,需求怠慢,暑假效应不明显,国内通路商拿货动作并不积极。因些,我们认为价格在目前来看上涨空间不大,有机会价格会有所走软。
DDRII方面,接近月底价格依然存有压力。
价格预测
现货价 |
规格 |
Hynix DDR400 |
Hynix DDR2 533 |
UTT 400 |
颗粒 |
USD 4.63-4.75 | USD 4.58-4.73 | USD 2.25-2.38 | |
模组 |
RMB 300-320 | RMB 355-370 | RMB 130-145 |
市场操作
我们根据各方面数据及信息分析,本周DRAM市场综合评级为“适中”。
本周操作:鉴于以上分析,DDRI的价格上涨空间不大,有机会出现轻微的下跌走势,建议以观望为主,有机会也可以适当补进一些库存,以备当日之需。DDR2相对来说这周价格有压力,但目前以炒卖为主较多,价格下调空间不大。SDRAM方面,需求有所增加,但价格有所下调,需要密切注意市场变化。
NAND Flash市场一周谈
市场回顾
需求方面比预想疲软,NAND FLASH行情持续不振
由于通路库存消化比预期的慢,而上游的供货商又积极出货,在没有太多需求的支撑下,NAND FLASH 价格持续走跌。尤其是三星8G和4G方面,在NAND FLASH价格下调过程中,MLC比SLC下调幅度小,也渐渐引起贸易商的关注,终端工厂需求有所增加。上周在NAND FLASH价格大幅走低下,刺激出多一些需求,MLC 8G/16G的关注度明显增加,其他容量的需求还是比较平淡。
NAND FLASH在这次下跌过程中,市场少量的实际需求开出的目标价格普遍低于现货市场价格,但由于货源压力明显,供应面也是降低价格配合,这样一来使NAND FLASH所有容量进一步下跌。Samsung 4G 8G和 Hynix 4G(UF)8G 分别从上周的 $ 8.95/ $ 17.85和 $ 7.75/ $ 16.85下跌到 $ 8.20/ $ 16.75和 $ 7.25/ $ 16.30。
市场预测
价格下跌幅度收窄,补仓动作显现
现货市场中需求MLC有所增多,4G/8G/16G都有一些需求,导致hynix 4G UT和UF价格略微接近。在NAND FLASH价格大幅度下跌的过程中,也有部分通路商已不在观望,在低价位中不断的补进库存。从现货市场来看,4G的价格已开始走稳,压力有所减少,通路补货的意愿较为明显。
对于低容量产品现货市场受关注度较少,包括2G的。贸易商重点操作的还是在4G 和8G上。由于贸易商对7月份的行情较为乐观,因些补货动作还会继续,NAND FALSH价格的下跌通道也有望收窄。
市场操作
鉴于以上分析,由于大部分通路商看好7月份,NAND FLASH在大幅下调后,补货动作会逐渐明显,特别要多留意4G和8G产品。1G和2G的产品涨幅变化都不大,可以根据实际需求来操作。
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