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操盘指南:7月12日大陆内存走势报告


dram.com.cn 【转载】 2006年07月12日 21:46 评论

  今日大陆DRAM现货市场均呈现上涨的走势,市场表现活跃。

  DDR2模组方面,由于DDR1价格急剧的上升以及DDR2需求量的逐步攀升,造成目前多数商家的注意力转至DDR2模组部分,并对未来的走势持乐观态度。尾市市场品牌模组DDR2 533 512MB价格窄幅上调为:265.00-290.00元之间,成交量大幅增大。DDR1品牌模组价格继续上涨,早盘高开后,成交量明显放大,终端需求维持稳定,尾市DDR400 512MB价格上涨至:325.00-345.00元之间。

  DDR2 UTT价格涨幅较大,惹人注目,512MB 价格处于265-275。DDR1非品牌和UTT模组方面,受外围颗粒大幅上涨的影响,市场气氛热络,贸易活动积极,全天价格高开高走,部分投机操作较为活络,总体成交量尚可。午后由于价格已高,热度稍有回落。HYNIX 512MB/1GB DDR400今日价格分别上涨至:327.00/642.00元,成交量较昨日继续放大。UTT 512MB DDR400价格继续上扬至:320.00元附近,成交尚可。

  由于DDR1供应有限,外围市场颗粒价格上涨明显,HYNIX 64*8价格涨至4.92-4.95美元之间。白板颗粒32*8/64*8价格分别向上调整至:2.45-2.48美元和4.87-4.90美元,成交量均有增加。DDR2 64X8颗粒价格上涨同样明显处于3.83-3.90美金之间。

  今日FLASH现货市场呈稍偏软的窄幅振荡盘整走势,市场需求继续放缓,多空双方处于胶着状态,后市走势仍不明朗,市场观望气氛浓厚,没有积极的交易活动。预计下旬才会有明确的方向,暂时走势仍会处于弱势震荡走势中。

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