65纳米 三星8Gb NAND闪存芯片已量产

　　CNET中国·ZOL报道：近日，NAND闪存的霸主三星公司宣布它们在NAND Flash Memory的制造方面又取得了重大突破，新的60纳米制程让三星成功的量产了8-Gigabit NAND闪存核心。新的制程不仅使单颗产品的容量增加，而且相比70纳米制程新产品的产能也会提高25％。

8-Gigabit NAND闪存核心

　　目前三星已经公开表示准备为客户提供8GB闪存的解决方案，四颗8-Gigabit闪存核心垂直堆叠实现4GB芯片，再将两片4GB芯片封装在一起即可实现8GB闪存。新产品的成功意味着类似iPod nano的MP3可以有容量更大的型号，而手机用mini存储卡也会有更大的容量。据悉采用新技术的8-Gigabit NAND闪存核心将在今年第三季度正式发售。