我们前面就提到过同样基于SandForce主控的固态硬盘，但由于搭载的NAND颗粒的不同，最终性能也能带来较大的差异性。这实际上是因为闪存也分为很多标准。其中，以英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准为“ONFI”，而以三星和东芝阵营为首的NAND厂商当前所主打的则是“Toggle DDR”。
●英特尔、美光主导的ONFI标准
ONFI 1.0标准诞生于2007年1月，除了包含一些闪存指令、引脚排列、电气参数等标准之外，还将传统的Legacy接口标准从每通道的40MT/s的带宽提升到了50MT/s。
2008年2月ONFI 2.0标准诞生，最主要的改变就是将每条通道的传说带宽从50MT/s一举提升到了133MT/s，由此也大幅度提升了采用多通道机制的固态硬盘的性能表现。
美光ONFI同步闪存
而在2009年2月ONFI 2.1标准被制定出来，将每条通道的传输带宽进一步提升至166MT/s～200MT/s，同时增强了ECC纠错能力。直到2009年10月ONFI 2.2标准出台，针对一些细节上做了改进和加强，并沿用至当前主流产品之中。
今年3月，ONFI 3.0标准正式宣布，接口带宽更是一举提升到了400MT/s，笔者预计该接口闪存将被下一代固态硬盘主控芯片所支持，但目前还不清楚12Gbps的SATA接口标准何时出台。
●ONFI中的同步/异步模式
同步/异步闪存的差异
至于我们经常说的“同步和异步”模式，这是在ONFI 2.0标准中新加入的特性。简单来说，主控可以通过发送同步指令激活NAND闪存上的同步时钟信号，以工作在同步模式。从性能测试来看，工作在同步模式下的固态硬盘在持续性的读写操作上有着更好的性能表现，目前中高端SandForce SF-2281固态硬盘均使用的是同步时钟，而中低端产品则多数工作在异步模式下。
●东芝、三星、SanDisk主导的Toggle DDR标准
Toggle DDR Mode标准源自三星和东芝于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准。这里所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的，利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输，速度自然翻倍。
东芝Toggle DDR Mode闪存
目前Toggle DDR Mode依然是1.0的标准，其接口带宽可以达到133MT/s，而最新的2.0标准和ONFI 3.0一样可以达到400MT/s的接口带宽。
目前，主流的SandForce SF-2000系列主控和Marvell 88SS9174-BKK2主控都已经提供了对ONFI 2.x和Toggle DDR Mode标准闪存芯片的支持，应用广泛。
