进化到19nm 东芝Toggle DDR2.0闪存

    ●什么是Toggle DDR Mode 2.0闪存

    Toggle DDR Mode是三星和东芝两家全球NAND市场的头号领军厂商于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准，用来与英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准“ONFI”分庭抗礼。

    目前基于SandForce SF-2281主控的固态硬盘如果是采用英特尔或者美光的颗粒，都基于ONFI 2.2标准，该标准支持NAND闪存每条通道的传输带宽提升至166MT/s～200MT/s，而2011年最新出台的ONFI 3.0规范更是可以让闪存的接口带宽达到400MT/s。

    对于Toggle DDR Mode来说，所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的，利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输，速度自然翻倍。

以东芝24纳米Toggle DDR NAND为例解读400Mbps的带宽所带来的提升

    浦科特M2S和M2P都采用的是Toggle DDR Mode 1.0的标准，其接口带宽可以达到133MT/s，而最新的2.0标准和ONFI 3.0一样可以达到400MT/s的接口带宽。而这一全新标准的闪存，也由浦科特的M3S和M3P率先采用。

    从图中我们可以看到全新的Toggle DDR Mode 2.0可是实现随机读取性能30%的增幅，随机写入性能120%的增幅。而按照如果相应闪存以8bit的位宽来计算，可以实现400MB/s的传输带宽。但综合来讲，全新标准的闪存应该和全新一代的主控芯片配合才能发挥出全部效能。这也正是浦科特M5P性能再次攀升的因素。

    ●东芝19纳米Toggle DDR Mode 2.0闪存

东芝19纳米Toggle DDR Mode 2.0闪存

透过这个过曝的角度下可以更清晰地看清编号

    进化到10纳米级支持下，除了更低的成本、更高的密度以外，很多用户其实更关心其擦写次数会否有进一步降低。从资料来看，当主控固件的ECC能力在24bit/1KB的时候，耐久度为1000 P/E；而当ECC能力达到40bit/1KB时候，则为3000 P/E。刚刚谈到浦科特内部测试对256GB固态硬盘写入36.5 TB的数据之后，仅仅消耗了150次P/E，所以我们对浦科特固件研发能力还是很有信心的。

    下面这个表格对比了东芝19纳米Toggle DDR 2.0闪存颗粒16GB、32GB、64GB三种容量的规格，利用8颗闪存分别可以生产出128GB、256GB和512GB容量的产品。