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产品名称: M2Y1G64TU8HB0B-25C/25D（1GB）
M2Y51264TU88B0B-25C/25D（512MB）
Unbuffered DIMMs（240针脚 桌上型电脑专用）
容量选配：1GB/512MB
工作频率: 800MHz
四位元预取架构
90奈米制程60球FBGA封装
CAS延迟CL5/CL6
OCD 晶片外驱动校准
工作电压: 1.8V+/-0.1Volt
ODT（On-Die Termination）技术
欧盟RoHS危害物质限用指令
模组温度变化侦测
M2Y1G64TU8HBOB-25C内存采行编号N2TU51280BE-25C 90奈米制程颗粒及符合JEDEC规范的6层PCB板，标准规格为240针脚、1.8V工作电压；在效能表现上，4bits-prefetch技术提供了4倍数据传输量，后置CAS与AL技术提高了存取效率，FBGA封装方式成功减少IC颗粒与PCB板的球面接触点，并透过内建的ODT内部中断电阻设计保证资料有效传输。
内存颗粒编号N2TU51280BE-25C中每个字母或数字都有其特点的含义，笔者在这里简单为大家介绍一下。
N2TU51280BE-25C释名
第一部分是“N2”，即Chip Product，意即芯片制造商为南亚易胜（Elixir）。
第二部分是“T”，即Product Family，在Elixir品牌内存中，这部分代表其分类：若为“D”代表其为DDR SDRAM；若为“T”代表其为DDR2 SDRAM；若为“C”代表其为DDR3 SDRAM产品。
第三部分是“U”，即Interface&Power，这部分若为“S”，S=STL-2，工作电压为2.5V，即DDR SDRAM内存；这部分若为“U”，S=STL-18，工作电压为1.8V，即DDR2 SDRAM内存；这部分若为“B”，S=STL-15，工作电压为1.5V，即DDR3 SDRAM内存。
第四部分是“512”，即Density，512即代表512Mbit。
第五部分是“80”，即Organization，80即×8based。
第六部分是“B”，即Die Revision，B即2nd Version。
第七部分是“E”，即Package Type，封装类型，E即DDR2 60针脚球状BGA封装。
第八部分是“25C”，即Speed。25C即DDR2-800-5-5-5。
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