FPM DRAM介绍

　　FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM）：

　　FPM DRAM也就是我们常说的快页内存。之所以称之为快页内存，因为它以4字节突发模式传送数据，这4个字节来自同一列或者说同一页。如何理解这种读取方式呢？FPM DRAM如果要突发4个字节的数据，它依然需要依次的读取每一个字节的数据，比如它要读取第一个字节的数据，这个时候的情况同前面介绍的DRAM读取方式是一样的（我们依然通过读取下面的FPM读取时序图来了解它的工作方式）：

　　1、首先行地址被传送到行地址引脚，在/RAS引脚被激活之前，RAS处于预充电状态，CAS也处于预充电状态，当然/WE此时依然是高电平，FPM至少知道自己不会进行写操作。

　　2、/RAS引脚被赋予低电平而被激活，行地址被送到行地址选通器，然后选择正确的行送到传感放大器，就在/RAS引脚被激活的同时，tRAC开始计时。

　　3、CAS一直处于预充电状态，直到列地址被传送到列地址引脚并且/CAS引脚得到一个低电平而被激活（tCRC时间开始计时），然后下面的事情我们也应该很清楚了，列地址被送到列地址选通器，然后需要读取的数据位置被锁定，这个时候Dout引脚被激活，第一组数据就被传送到数据总线上。

　　4、对于原来介绍的DRAM，这个时候一个读取周期就结束了，不过对于FPM则不同，在传送第一组数据期间，CAS失活（RAS依然保持着激活状态）并且进入预充电状态，等待第二组列地址被传送到列地址引脚，然后进行第二组数据的传输，如此周而复始直至4组数据全部找到并且传输完毕。

　　5、当第四组数据开始传送的时候，RAS和CAS相继失活进入到预充电状态，这样FPM的一个完整的读取周期方告结束。FPM之所以能够实现这样的传输模式，就是因为所需要读取的4个字节的行地址是相同的但是列地址不同，所以它们不必为了得到一个相同的列地址而去做重复的工作。

　　6、这样的工作模式显然相对于普通的DRAM模式节省了很多的时间，特别是节省了3次RAS预充电的时间和3个tRAC时间，从而进一步提高的效率。

　　我想你一定看到过诸如6－3－3－3这样的内存标注方法，其中的6表示从最初状态读取第一组数据需要6个时钟周期，而读取另外三个数据仅仅需要3个时钟周期就能达到目的了。需要特别指出的是，在上面的时序图中，我们并没有标注出 FPM DRAM进行第二个、第三个、第四个数据输出的前进行新的列地址选通的时间，但是从上面的示意图中我们可以看到Col.2同Data1和D2之间都没有重叠，所以这三个数据的输出是进行完毕一个再进行的另一个，因此再上一次数据传输完毕到下一次列地址传输之间还有一点小小的延迟。