EDO DRAM介绍

　　EDO DRAM（ Extended Data Out DRAM：扩展数据输出DRAM）：

　　在介绍FPM的读取过程的最后我着重提到了 FPM DRAM是在上一次的数据读取完毕才会进行下一个数据的读取，但是对于EDO DRAM却是完全不一样的。EDO DRAM可以在输出数据的同时进行下一个列地址选通,我们依然结合下面的EDO读取时序图来了解EDO DRAM读取数据的过程：

　　1、RAS在结束上一次的读取操作之后，进入预充电状态，当接到读取数据的请求之后，行地址首先通过地址总线传输到地址引脚，在这个期间CAS依然处于预充电状态。

　　2、/RAS引脚被激活，列地址开始经过行地址选通电路和行地址解码器进行行地址的选择，就在这个同时tRAC周期开始，因为是读取操作/WE引脚一直没有被激活，所以内存知道自己进行的是读取操作而不是写操作。

　　3、在CAS依然进行预充电的过程中，列地址被送到列地址选通电路选择出来合适的地址，当/CAS被激活的同时tCAC周期开始，当tCAC结束的时候，需要读取的数据将会通过数据引脚传输到数据总线。

　　4、从开始输出第一组数据的时候，我们就可以体会到EDO同FPM之间的区别了：在tCAC周期结束之前，CAS失活并且开始了预充电，第二组列地址传输和选通也随即开始，第一数据还没有输出完毕之前，下一组数据的tCAC周期就开始了－－显然这样进一步的节省了时间。就在第二组数据输出前，CAS再次失活为第三组数据传输列地址做起了准备……

　　5、如此的设计使得EDO内存的性能比起FPM的性能提高了大约20-40%。

　　6、正是因为EDO的速度比FPM快，所以它可以运行在更高的总线频率上。所以很多的EDO RAM可以运行在66MHz的频率上，并且一般标注为5－2－2－2。