SSD的性能威胁HDD的生存，HDD赖以生存的仅剩容量。2014年，闪存依靠3D堆叠技术，其存储密度得以爆炸式增长，此举助SSD抄断HDD的容量后路。3D堆叠芯片技术最早应用于英特尔处理器，后者得以容纳更多的晶体管，同时提高处理器的性能。此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单元的堆放密度极限。 

    ■难抵诱惑 3D闪存能发扬光大么？

2D闪存和3D闪存对比

    3D闪存目前仅且只有三星应用到SSD，其名为3D V-NAND技术，采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。 

    3D闪存使得SSD在容量上具备和HDD抗衡的潜力，进一步增强SSD的P/E耐久度，它最能激发存储容量，为SSD打开容量天窗，并且它在制造工艺上有较大的提升空间。没有闪存厂家能抵挡得住3D闪存的诱惑，2015年，东芝和美光尝试推出3D闪存，3D闪存将大行其道。

     ■要降低SSD价格 还得看TLC闪存

应用于入门级SSD的慧荣SM2256主控 

    如果说3D闪存解决容量问题，不过更为复杂的制造工艺也意味着不小的成本，降价仍要看TLC闪存。随着配套TLC闪存的新一代Marvell 88SS1074、慧荣SM2256主控成熟，美光、东芝10nm级别TLC闪存将在SSD大规模应用，这将拉动SSD价格下跌20%。

    依靠闪存厂家的自身强大技术，率先推出的840 EVO、闪迪至尊高速II均有不俗的性能表现，新一代TLC闪存的SSD的P/E寿命提高至1K-2K级别，其性能不亚于目前主流MLC闪存的SSD。

    编辑点评：3D闪存和TLC闪存并不矛盾，目前已有3D TLC闪存应用于消费级SSD，不过它的生产工艺为20nn级别，其单位容量的生产成本优势还需要提高制造工艺方能突显。而10nm级别的2D TLC闪存借助更为先进的制造工艺，拥有更低的生产成本，这正是现阶段我们广大消费者所需要的，让SSD的降价风暴来得更猛烈一些吧。