镁光DDR2芯片 悍将版800/2GB特写

　　● 悍将版Ultra DDR2-800 2GB更多细节

　　虽然1GB*4也能够满足高速+高容量的需求，但并非所有主板都提供4个DIMM插槽，而更不能忽略的是即使4 DIMM插满双rank内存模组后将影响系统的稳定性，因为桌面级别主板并不能支持多Registered设计，无法达到服务器主板配置多根模组并保持稳定的应用模式。2GB*2的内存模组配置在rank数方面和目前的1GB*2相当，稳定性仅取决于内存芯片而不是内存控制器，显然是更好的选择。

产品标签特写

　　KINGBOX 悍将版Ultra DDR2-800 2GB的产品标签提供的信息包括产品型号、容量、速度及每根模组唯一的数字S/N编号，但缺少CAS延迟标注。

Micron D9HNL芯片特写

　　 悍将版Ultra DDR2-800 2GB使用了镁光（Micron）的内存芯片，芯片代码为D9HNL，在镁光官方网站上查询可知其芯片型号为MT47H128M8HQ-3。它为1024Mbit规格，128Mx8bit组织方式，使用60-pin FBGA 10mm*10mm尺寸封装，标称速度3纳秒，标称运行模式DDR2-667@CL5，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。当然这些只是保守的官方规格，镁光芯片的潜力远不仅此。在这款悍将版Ultra DDR2-800 2GB上的实际运行模式就达到了DDR2-800@CL5。

　　这款最新的镁光FBGA封装内存芯片形状狭长，封装尺寸（8mm*11.5mm）不但小于之前我们接触到的其他1024Mbit DDR2芯片，甚至比Micron“小D9”的第四代512Mbit内存芯片尺寸也要小上一圈，储存单元的存储密度显然已经大幅提升，DRAM存储芯片的存储密度提升也造成了难以在高频率下运行稳定，因此能在DDR2-800下运行的1024Mbit芯片问世较晚，并且产量稀少。

　　● CPU-Z提供的内存SPD分析

CPU-Z SPD页截图

　　CPU-Z 1.38显示的悍将版Ultra DDR2-800 2GB信息如上图，模组容量、速度和制造商及产品型号可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整标准，内存模组在DDR2-400下时序为3-3-3-9，DDR2-533下时序为4-4-3-12，DDR2-800下时序为5-5-5-15，其中DDR2-533下的时序水平相当突出。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。