宏连DDR2-667 512MB规格剖析

　　● 宏连DDR2-667 512MB更多细节

　　宏连DDR2-667内存模组，不但采用TCSP封装方式，在PCB部分还使用双层金属导热架，散热上较普通FBGA封装芯片模组的单层金属有机塑料基板具有优势，且双层的电路噪声也较低；此外，TCSP使用镀金引脚，如果有返修的需求，也比使用锡球的FBGA封装更为方便。

宏连DDR2-667 512MB用料做工良好

 
产品标识分为两个部分

　　这款内存的产品标签提供的信息包括产品型号、容量、速度及生产日期等信息，分为两个部分，贴装在模组正面的两侧。

　　● 内存SPD信息分析

CPU-Z SPD页截图

　　CPU-Z 1.39显示的宏连DDR2-667 512MB SPD信息如上图，显示出的信息不多，仅包含了模组容量和速度，其他部分空置。内存时序表部分设定完整标准，内存模组在DDR2-400下时序为3-3-3-9，DDR2-533下时序为4-4-4-12，DDR2-667下时序为5-5-5-15，属主流DDR2-667的平均水平。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。