Patriot PSD22G800KH芯片细节和SPD分析

Patriot PSD22G800KH芯片细节和SPD分析

　　● 内存模组硬件状况

　　这款产品为双面双rank物理设计，内存模组的用料优秀和做工精湛，排阻和贴片电容以及金手指部分都体现了国外一流大厂的风范。

模组使用的DRAM芯片

　　这款模组配置的16枚内存芯片上表面的DRAM厂原始信息已经被修改成Patriot的Logo，因此无法了解详细规格，但能够跟据整个模组状况推测其组织形式为64M*8bit=512Mb，按照DDR2-800的标称速度，应为2.5ns型号。

　　● 内存模组SPD分析

CPU-Z显示的内存模组SPD信息

　　CPU-Z 1.39显示的PSD22G800KH信息如上图，模组容量、速度、制造商和型号信息完整正确。内存时序表部分包含3套设置，其中包括DDR2-400下时序为3-3-3-8，DDR2-533下时序为4-4-4-11，DDR2-800下时序为5-5-5-16，是主流DDR2-800产品的水平。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。
　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。