频率和功耗 DDR3内存的核心优势

频率和功耗 DDR3内存的核心优势

　　●  数据预读取拉升频率及其它

　　DDR3的可达到的频率上限超过2000MHz，和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。

数据预读取技术支撑内存频率攀升

　　除了预读取位数翻番带来的突发长度改变，DDR3还在多处对DDR2的技术加以改进并应用：

　　点对点连接 ——  这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

　　新增的重置功能 —— 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的 。

　　逻辑Bank数量 —— DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　DDR3的其他明显的新增特点还包括ZQ校准、分成两部分的参考电压、突发长度和封装等，以下的表格汇总了这些信息：

　　●  功耗再度下降 芯片加入智能管理

功耗降低对于移动平台的SO-DIMM模组是非常重要的

　　同时，DDR3 DRAM芯片内置温度感应器，支持更高级的功耗管理，比如根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，配合重置功能和1.5V的低操作电压让DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。比如在SO-DIMM内存模组上，DDR3-800仅是DDR2-800功耗的72%，即使内存功耗在系统功耗中所占比率不高，但这样的进步仍非常具有积极意义。

　　●  延迟上升不容忽视

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟增加一样，DDR的总体延迟比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在3～5之间，而DDR3则在6～10之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。 同时DDR3写入延迟（CWD）的部分也较DDR2劣化，具体状况在上表中有详细对比。

　　毫无疑问，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，虽然说内存模组的真正表象延迟要是时序周期和频率公共作用的综合，但是在某些情况下还是会出现频率上升性能下降的例子，这种状况在DDR2替换DDR时就被很多用户所指责，现时的DDR3同样无法回避，在具体内存模组产品上还是需要调整至频率和时序的一种均衡状态。