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Kingston HyperX DDR3-1375产品分析

比极品DDR2更快 金士顿DDR3-1375测试

CNET中国·ZOL 作者:中关村在线 王胤韬 责任编辑:王胤韬 【原创】 2007年06月04日 06:22 评论

Kingston HyperX DDR3-1375产品分析

  ●  HyperX DDR3-1375登场

  全球最大的内存模组制造商,金士顿(Kingston)以ValueRAM系列标准型产品主攻主流市场的同时,也面向高端用户持续推出HyperX系列产品供极限性能、超频应用。Kingston HyperX还是顶级超频主板品牌ASUS的“御用产品”,双方有深度的合作。


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HyperX KHX11000D3LLK2/2G状况

  这套内存型号为KHX11000D3LLK2/2G的双条套装,含两根non-ECC unbuffered 240pin 1024MB SDRAM内存模组,标称运行频率高达1375MHz(DDR)约等于DDR3-1333,堪称是目前世界最快内存产品。

  KHX11000D3LLK2/2G一如既往的在内存PCB表面配置亮蓝色铝质外壳,这种HyperX系列模组特有的外形已经延续多年,在用户群中有广泛的认知。它们在DDR2-1333下以双通道配置能够提供21.3GB/s的理论带宽,这已经大大超出了目前所有CPU的内存带宽需求,并且也能够满足最尖端1333MHz FSB Core 2处理器超频的内存配合需要。

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KHX11000D3LLK2/2G产品标签

  KHX11000D3LLK2/2G产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟等信息。此产品DDR2-1333稳定运行的工作电压为1.7V,比1.5V的标准工作电压略高。

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DDR3内存模组和DDR2内存模组比较

  DDR3内存模组和DDR2内存模组都是240pin接口,PCB尺寸也完全相同,只是安装定位缺口有所区别,上图是两种内存模组正面向上(以SPD ROM的安装面为正面)的外观比较,分别立显。

  ●  PCB和芯片状况

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PCB状况细节

  小心的拆掉外壳,可以看到1GB单根容量的HyperX DDR3-1333内存模组为双面配置,16枚内存芯片贴装在PCB正反两面。PCB本身的用料、做工细节无可挑剔,Kingston产品一直都处于业界的最高水准。

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ELPIDA DDR3内存芯片

  模组配置的芯片来自于尔必达(ELPIDA),型号为J53088ASE-AC-E,从其官方网站查询可得,此芯片为DDR3-1066_6-6-6型,为DDR3-1066芯片中时序最高端的产品。J53088ASE-AC-E内部为8banks,组织形式64M*8bit=512Mbit。

  ●  SPD信息及分析

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KHX11000D3LLK2的SPD状况

  CPU-Z 1.40显示的KHX11000D3LLK2/2G SPD信息如上图,模组容量、速度可以识别,其他部分信息未注明。内存时序表部分包含3套设置,其中包括DDR3-914下时序为6-6-6-18,DDR3-1066下时序为7-7-7-20,DDR3-1218下时序为8-8-8-23,时序水准劣于主流DDR2模组的水平。

  值得注意的是这款内存的时序表中并不含有DDR3-1333的相关设定,并且在"PC3-8500"上也可以看出,这实际上是DDR3-1066标准型产品特挑成DDR2-1375而成的, 如果需要进行DDR3-1375或更高频率的使用,需要用户手动在主板BIOS中设定。

  影响到内存系统性能的原因多样,在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定,内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面,其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例,类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为:

  CAS Latency,内存CAS延迟时间。
  RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。
  Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。
  Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。

  这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上,还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节,通常认为这一部分设定对内存性能影响较大,其重要性等同于CAS Latency设定。

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