PNY DDR2-1066 1GB内存产品详解

PNY DDR2-1066 1GB内存产品详解

　　● 产品外部状况

　　PNY送测了的这款双条套装内含两根non-ECC unbuffered 240pin 1024MB SDRAM内存模组，标称运行频率高达1066MHz（DDR），超过JEDEC标准DDR2最高800MHz约33%，面向高性能PC平台。

PNY DDR2-1066 1GB内存模组

　　像大多数高性能内存模组一样，PNY DDR2-1066也带有一个漂亮的黑色铝质外壳，以保护内存芯片并提供一点散热增强，只是外壳配置的银色卡子有少许问题，它竟然写着“DDRII800”......

内存模组背面

　　透过外壳缝隙，可以看到这款内存模组为双面配置，16枚内存芯片贴装在PCB正反两面，PCB及元件用料、做工细节均属上乘。

　　为了防止产品损坏，笔者没有拆开内存模组外壳，内存芯片状况无法直接了解，现在能够提供超过DDR2-1000运行能力芯片的DRAM厂商已经有多家，包括大名鼎鼎的Micron、hynix和部分台系品牌。

内存模组标签

　　产品标签包含了内存模组的型号、编号、容量、速度等信息，只是缺少标准运行延迟和工作电压，这款产品在台湾省制造。

　　● 内存模组SPD分析

CPU-Z显示的SPD状况

　　CPU-Z 1.40显示的PNY DDR2-1066 1GB SPD信息如上图，模组容量、速度可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分仅包含1套设置，DDR2-800下时序为5-5-5-18，属主流DDR2-800的平均水平。可以看到，外部标称的DDR2-1066时需要用户手动超频才能够达到的。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。
　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。