主流DDR2内存芯片编号解析（下）

韩国海力士/现代（Hynix）：

韩国海力士/现代（Hynix）DDR2内存芯片

　　以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667·CL=5（S6为DDR2-800·CL=6，S5为DDR2-800·CL=5，Y4为DDR2-667·CL=4）。

日本尔必达（ELPIDA）：

日本尔必达（ELPIDA）DDR2内存芯片

　　以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800·CL=5（6C代表DDR2-667·CL=4，6E代表DDR2-667·CL=5），E代表无铅。

德国奇梦达（Qimonda）：

德国奇梦达（Qimonda）DDR2内存芯片

　　奇梦达就是原来的英飞凌，以奇梦达HYB18T512800AF37为例，HYB代表奇梦达，18代表工作电压为1.8V（25为2.5V），T代表DDR2内存，512代表芯片容量为512Mb（1G为1Gb，256为256Mb），80代表位宽，0代表产品系列，A代表版本号，F代表FBGA封装，37运行频率为DDR2-533（3为DDR2-667）。

美国镁光（Micron）：

美国镁光（Micron）DDR2内存芯片

　　镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不是正规编号，而是一个特定编码，即使在官方网站上也不容易查到详细信息，因此笔者也无法概括出其具体含义。

　　编辑结语：由于时间有限，本次笔者首先整理出韩国三星、韩国现代、日本尔必达、德国奇梦达4家国际一线内存芯片厂商的编号定义。镁光、亿能、南亚、力晶、茂德、易胜的DDR2内存芯片编号规则之后放出，敬请密切关注ZOL内存频道。

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