SK海力士宣布,4月18 日中国无锡制造工厂完成扩建,是无锡现有DRAM生产线C2的扩展,扩大生产线是为了解决技术过渡带来的生产空间短缺的问题。厂房建筑面积58000平方米,建筑规模与现有的C2 FAB厂房相似。SK海力士已完成了部分C2F洁净室的建设,安装设备后将开始生产DRAM,也会根据市场情况灵活确定额外洁净室建设和设备安装的时间。
无锡工厂负责人示,通过完成C2F厂房的建设,将能确保SK海力士无锡FAB的中长期竞争力。通过将C2F和C2作为一个FAB运营,将最大限度地提高无锡FAB工厂的生产和运营效率。
由于智能型手机、PC、数据中心等市场需求放缓,使得DRAM市场供过于求,从2018年开始DRAM市场价格也一直在下滑。三星、SK海力士、美光是DRAM市场主要芯片供应商,面对低迷的DRAM市况,正在采取措施应对。
SK海力士C2F工厂竣工后将主要用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片12英寸Wafer。虽然SK海力士C2F厂增加产能对于目前供过于求的DRAM市场不利,恐对市场价格再次冲击,但面对三星、美光等竞争对手,提高DRAM在市场上的竞争力是必要的。
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