价格难降 2011年内存/硬盘市场展望

    眼看春节已经慢慢远去，从中国传统农历来说，新的一年伴随着第一场春雪也拉开帷幕。虽然春节期间中关村门可罗雀，但这两天陆陆续续返京的商家也给卖场带来了一些人气。

    作为最主要的存储设备，内存（Memory）和硬盘（Hard Disc Drive）在2010年底确实让用户眉开眼笑。虽然它们没有什么新的技术和性能提升，但是用户最关心的价格问题得到了解决。其中内存顺利的从DDR2转入DDR3时代，并且价格跌至140元的最低点；而硬盘则是容量猛增，单碟750GB使得硬盘容量提升至3TB，另外主流硬盘价格也达到历史最低点。

    那么在2011年，内存价格走势如何？DDR4内存能否影响现在的内存市场？硬盘、固态硬盘、混合硬盘是否能够三足鼎立？等等疑惑，都可以在2011年的展望文章中找到答案。

● 缩减成本 30奈米工艺时代来临

    不知是否受到Intel处理器的影响，内存的制造工艺脚步不断加快，预计到2011年下半年大部分内存芯片厂商将使用基于30nm技术的制程来制造内存芯片产品。其实谈到内存的生产工艺，很多用户都不理解，下面笔者举个简单的例子。

三星新工艺制程的DDR3内存

    在2010年，三星是第一款推出40奈米制程工艺的厂商，相对于当时50或者60奈米工艺而言，生产效率提升60%，所以内存生产成本造价上也得到控制，在内存利润率低下的今天，缩减成本可以有效的提升利润空间。

晶圆

如果所有DRAM厂宣布启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右，相比50、60nm制程的成本利用率提升两倍左右。另外，从节能上来说最多可节省30%的功耗，所以新制程的另一个特点就是低功耗、低发热。

目前三星和Hynix正在积极向30nm制程迁移，而在他们的带动下，尔必达也已经研发成功30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。转换完成后，尔必达内存芯片产品的成本将大幅降低。