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经过了中国农历春节的洗礼,内存市场相比年前有了较大幅度的上调,均价从135元涨至150元左右。上涨原因主要是上游渠道放假,货源比较紧张,看上去跟上游DRAM厂颗粒价格无关,但是现在内存的售价已经低于它的生产成本,这种局面还能坚挺多久?
其实从1月底开始,上游DRAM厂如三星均表示合约价格触底,尤其是DDR3 1Gb eTT现货价在1月27日大涨8.18%;DDR3 2Gb品牌颗粒更大涨10.81%收市,这会不会是价格上涨前的征兆呢?下面笔者就来分析一下。
DRAM合约价格走势图
首先,在1月底的合约价格已经跌破DDR3 2Gb的制造成本,再继续下调的空间已经不大,想要再次重演2007年内存大降价的历史已经很难。笔者分析春节后内存价格仍会围绕在140-150元左右,毕竟通路厂商还有不少的库存,想要消化殆尽还需要一段时间,所以市场暂时不会有明显的涨幅。
另外一个重要因素就是产能出现吃力现象。因为很多制造工艺落后的DRAM厂很看好Mobile DRAM以及NAND芯片的利润,一方面觉得内存后续市场不乐观,另外就是新工艺导致良品率不足等等问题,使之转产。毕竟随着平板电脑的普及,NAND芯片的需求不断加大,间接造成DRAM产能缩减,而在需求面上,由于DRAM价格大跌后,PC厂愿意提升内存搭载容量,因此也开始消耗更多的DRAM产能,所以未来可以预见DDR3内存已经有了触底反弹的信号。
但是这并不意味着内存将会大幅反弹,毕竟需求是影响内存价格的重要因素。所以2011年内存的价格主要以小幅震荡走势为主,预计震荡的区间在140-170元之间,所以在2011年内存操盘会比较麻烦,应该以短线操作为宜。
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