对比40nm本条 30nm实现华丽转身

★对比40nm本条 30nm实现华丽转身

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条的实物

    30nm的内存颗粒芯片较之40nm体积更小，导致三星内存的标签完全将其遮盖，已看不到内存颗粒的外观。笔者见过40nm三星本条，尚能看到颗粒芯片上的SEC英文以及数字编号。先进的内存工艺不仅仅缩小了颗粒芯片的体积，还增加了内存的频率，增强内存的稳定性，降低电压达到节能目的。

三星最新的30nm本条和老款40nm本条对比

三星最新的30nm本条和老款40nm本条的性能参数对比

    老款40nm DDR3本条也打出绿色节能的概念，其实是和早前的50-60nm制造工艺的本条相比，但40nm始终无法降低1.5V的标准电压，而目前市场上充斥着40-60nm工艺的DDR3本条。

    对比老款40nm本条仅仅支持DDR3-1333/1066MHz 两种频率，三星30nm超低压本条可以轻松实现多达DDR3-1600/1333/1066/800MHz 四种频率自动适应。

    这两款本套相同的也许就是容量、接口、三星原厂内存颗粒、终身质保等硬性指标。