1333Mhz清场！高频内存下月集中上市

    英特尔掌握内存控制器的先进尖端技术，作为内存行业的推动者，英特尔审时度势明年力推DDR3-1600内存。早在今年7月份三星就捷足先登，抢先在中国市场发售DDR3-1600内存。本月基于30nm工艺的三星2GB DDR3-1600台式机内存则在北京大面积上柜出售。今日我们将揭晓其庐山真面目，看看30nm的DDR3-1600内存有何神奇之处。

特点：

★工艺先进、30nm制程

★高频率、低电压、低功耗

基于30nm工艺的三星2GB DDR3-1600台式机内存大规模上市

    40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存，无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率，因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.55-1.65伏。而30nm DDR3内存不但无需提高电压即可完美支持1600MHz频率，甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。

三星2GB DDR3-1600台式机内存的实际工作电压仅1.28V

    三星30nm DDR3-1600MHz内存和其他DDR3-1333相比，低工作电压和高频率是两个显著的特征。在实际测试中，这款内存的实际工作电压仅1.28V，远低于DDR3 1.5V的标准电压，发热更低，功耗越小。

 
三星2GB DDR3-1600台式机内存的30nm颗粒芯片特写

    这款内存采纳目前30nm等级的制造工艺，是目前中国市场中最先进的内存颗粒制造工艺。其包装上的“Low Voltage”也从侧面印证了它具有低功耗节能的与众不同特点，首次在台式机普条上实现低于1.5伏标准电压。

    英特尔显然更早看到整个内存行业的潜力，逐步转换30nm制造工作的内存工厂，已具备支持DDR3-1600的生产条件，因此本月15日推出的SNB-E和明年3月份推出的ivybridge处理器默认支持DDR3-1600内存。