为了推动自主存储芯片的发展，我国以国家战略和意志建设半导体产业链，设立国家集成电路产业投资基金，一期投入人民币1200亿元，初期规划5年，共计6000亿元规模资金。重点扶植项目包括DRAM（内存芯片）、3D NAND Flash（3D NAND闪存）、NOR Flash（NOR闪存）。

    现状：处于“萌芽”的发展初级阶段

我国存储芯片的技术水平

    我国目前仅能批量生产55nm级别的NOR Flash（NOR闪存），用于主板BIOS芯片等小容量、写入慢的逻辑芯片。3D NAND闪存也仅在实验室状态下，完成9层结构的存储芯片的存储器功能的电学验证。DRAM则干脆处于技术储备、规划当中，短期内无量产可能。

    关键：合作伙伴、技术团队、矽知识产权

封装成型的美光闪存

    如果靠我国纯正血统的技术、团队在几年时间追赶国外领先的存储芯片水平，其难度远高于我国的大飞机项目，且不论容量大小，不允许有任何失误。因此我们找到①技术的合作伙伴、②有经验的优秀团队以及③矽知识产权，将是加速我国存储芯片量产的三大关键因素。

    捷径：整体收购国外存储芯片厂商

韩系海力士是我国潜在的收购/合作对象

    上叙加速自主国产存储芯片量产的三大关键因素碎片化，如果能够整体收购国外存储芯片厂商，可加速实现进程。其中海力士、美光均具备DRAM、NAND Flash的先进核心技术。我国企业收购美光存有一线希望；海力士的市占率更高，收购难度要大，仅存有理论上的收购可能。

    观点：存储芯片自主国产化是根本，收购国外存储芯片厂家则是拓展加速，双管齐下的目的是为了加速存储芯片的自主生产进程。收购国外存储芯片厂商可谓山穷水复疑无路，柳暗花明又一村，我们遇到什么阻碍，当中有什么转机？