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影响内存降价因素(一)

内存崩盘狂跌 主流品牌一周价格对比

CNET中国·ZOL 作者:中关村在线 孙玉亮 责任编辑:王刚 【原创】 2007年05月23日 06:29 评论

  内存芯片价格走势可以直接影响内存的价格。目前台湾工厂不断扩建,加上生产制程的逐步提高,极大的提高了生产能力,所以大规模的批量生产直接导致了成本下降,造成供大于求的关系,势必影响成品内存的价格。


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近日内存芯片价格走势

  根据集邦网站提供的芯片报价可以看出,DDR1已经不是市场主流,由于整体市场缺乏需求支撑,同时受DDR2价格下调影响,因此其现货价格走势依然不容乐观,本周较大机率继续小幅下降。

  DDR2由于上游库存消化情况不理想,内存厂家依然按照原计划产能。与此同时,国内外终端需求方面持续疲软,相信行情在一片悲观声中很难有好的表现。另外,由于PC厂商仍持有一定的库存量,压制合约市场中出货状况并不顺畅,随着货源继续流入现货市场,DDR2现货价格将被迫同步调整,本周行情走势依然不容乐观。

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生产内存所需要的圆晶

  内存原料是由一般的海滩沙所制成的。沙中含有半导体或芯片制造时最重要原料的硅。从沙中粹取的硅,经过融解、成型、切片、打磨以及抛光的程序而成为晶圆片(Silicon wafer)。

  晶圆是生产内存时的重要原料,我们在内存上看到的芯片就是从上面切下来的。这种切割技术被称为制造工艺。生产厂商都想拥有更精密的制造工艺,不仅可以在同一块圆晶中分切出更多的芯片而降低了成本,还可以从技术上领先对手。但是当各大厂商都使用技术成熟的90nm工艺时,一方面他们向更精密的工艺制程迈进,另一方面只能依靠大打价格战来抢占市场份额。

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70纳米制作工艺

  全球DRAM厂纷纷加速朝70/65纳米制作工艺推进,继韩国海力士(HYNIX)、日本尔必达(ELPIDA)等转进新制程试产后,台湾DRAM厂也快马加鞭投入,力晶(PSC)与茂德(PROMOS)均已启动70纳米试产计划,最快明年第二季起量产。

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