DDR2内存简介及技术介绍：

　　DDR内存采用200MHZ的核心频率，通过两条路线同步传输到I/O缓存，实现400MHZ的是实际频率。DDR2采用100MHZ的核心频率，通过四条传输路线同步传输至I/O缓存，同样实现400MHZ的实际频率。

　　DDR2新技术简介：

　　DDR II的三个主要新特征：它们分别是OCD、ODT和Post CAS。

OCD

　　OCD（Off-Chip Driver），也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。也就是Pull-up=Pull-down。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；以防止电源过大的电压和过少的电压令数据流失或令讯号变得更稳定。

ODT

　　ODT是内建核心的终结电阻器，我们知道使用DDR I SDRAM的主板上面需要大量的终结电阻，至少每根数据线需要一个终结电阻，这对主板来说也是不小的成本。信号线上使用终结电阻是为了防止数据线终端反射信号，因此需要一定阻值的终结电阻器。这个阻值太大或者太小都不好，阻值较大线路的信噪比较高但是信号反射较为严重，阻值小可以减小信号反射但是会造成信噪比下降。此外由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，因此主板对内存模组也比较"挑剔"。

Post CAS

　　为了能令DDR 2内存更易增加时钟，DDR 2优化了读写的工作流程，加入了Posted CAS技术，可以令CAS指令(读写指令)能于下一个RAS(Active Command)指令后的工作时脉下开始，以往CAS同RAS必须相距一个时脉才可，这个技术减少了时脉的浪费，这样可令内存的时脉更易提升。