回顾篇：速度以外的X因素—延迟参数

　　如果说频率是DDR2的腾飞的翅膀，那么延迟参数就是DDR2的脚镣，正是由于延迟参数上的劣势明显，DDR2 533在和DDR 400的决斗中显得很狼狈。DDR2内存的时序参数有哪些呢？它们的影响力有多大？哪一个参数更重要？下面的将会回答这些问题。

　　内存的参数很多，而且同一参数往往有不同的叫法。为了更直观地解释，我们从一张CPU-Z 1.38的SPD截图说起吧，鉴于这个软件的影响力和权威性，在此把它对参数的描述作为标准。在描述内存的延迟时，大多数人喜欢采用例如3-3-3-8、5-5-5-15这样的说法，此外还有1T和2T，这五个参数将是解释的重点。

CPU-Z内存SPD信息截图

● CAS Latency（CL），列地址控制器潜伏时间

　　CAS（列地址选通脉冲）控制从接受一个指令到执行指令之间的时间，是最重要的延迟参数。内存中数据是按矩阵形式进行排列的，寻址时必须确定行和列才能正到正确的地址。当寻址的请求触发后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需要预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址，一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe，行地址选通脉冲）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，这个周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS（列地址选通脉冲）开始到CAS结束，这就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的，对性能的影响也是最大的。

列地址控制器潜伏时间

● RAS to CAS（tRCD），行寻址到列寻址延迟时间

　　RAS to CAS是5-5-5-15的第二个参数。对内存进行读、写或者刷新操作时，必须在这行地址选通（RAS）和列地址选通（CAS）这两种脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。在JEDEC的规范中，它是排在第二的参数，降低此延时值可以提高性能。它对内存性能的影响并不是很大，如果设置得太低则会对内存稳定性造成影响。

行寻址到列寻址延迟时间

● RAS Precharge（tRP），行地址控制器预充电时间

　　RAS Precharge用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间，是5-5-5-15中的第三个参数。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，然而，想要把tRP设得太低会对大多数内存提出很高的要求，甚至会造成行激活之前的数据丢失。在DDR2内存中，这项参数推荐设定为4或5，如果内存的频率较高，也可以设为6。

行寻址到列寻址延迟时间

● tRAS（Active to Precharge Delay），行有效至预充电最短周期

　　tRAS是5-5-5-15中的最后一个参数，表示行有效至预充电最短周期。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值必须大于CAS latency + tRCD。在DDR2内存延时参数的设置中，这个差值最好是4或者5。

● Command Per Clock(CPC)，首命令延迟
　　我们常挂在嘴边的1T和2T指的就是Command Per Clock。这个参数的含义是对行物理Bank进行选择后发出具体寻址的行激活命令的时间，以时钟周期为单位。2T比1T可以获得更好的性能。对于AMD的双通道内存控制器而言，设置为1T的性能提升为10%左右，但是对内存的体质和兼容性要求很高。但是在Intel平台上，这个参数并不受关注，这是由于Intel大部分芯片组把内存通道可支持到的最大内存Bank数限制到4个，这样就能够从容的使用1T Timing。

BIOS中的1T和2T

　　对于DDR2内存，我们推荐两组自定义的延迟参数：4-4-4-12和5-5-5-15，这都是可以长期使用的时序。如果是为了冲击更高的成绩不在此限。而这些参数的对内存子系统性能和整机性能会有什么样的影响，在我们的对比测试中将会得到验证。