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回顾篇:寻找体质优秀的DDR2内存颗粒

狂飙1200MHz 32款DDR2内存年末横测

CNET中国·ZOL 作者:中关村在线 黄永誉 【原创】 2006年12月13日 06:19 评论
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  如果曾经仔细对比过同容量不同品牌的DDR2内存,会发现无论尺寸、布局、走线、元件都完全一样,内存的同质化已经越来越严重了,如何挑选出适合超频的内存,关键在于颗粒的体质。目前市面上的内存品牌之多,令人目不暇接。但是颗粒大多来自于Samsung、Hynix、Infineon、Micron、Elpida、PSC、NANYA这几个晶圆厂,内存颗粒上打着不同品牌的LOGO,有的是内存模组厂家购买晶圆之后自行封装自行刻字,有的则是直接购买颗粒并进行打磨。超频最突出的颗粒,大多来自Infineon、Micron和Elpida。

● Micron(镁光)

  Micron的DDR2内存颗粒分为早期的大D9(Fat D9)和现在的小D9。大D9采用的是110nm的工艺,看起来偏胖。大D9的可怕之处并不在于它可以爬升到很高的频率,更重要的是它在高频率下的超低延迟参数。随着Micron转换了生产工艺,大D9颗粒已经停产,取代它的是小D9颗粒,比起大D9制造成本更低,但在据说供电方面没有大D9颗粒完整,超频能力也稍逊。小D9中当属D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超,继承了小D9的在高电压下的高频率以及低时序的传统。其中又以D9GKX和D9GMH比较出众,默认电压超频D9GKX小胜,但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的电压下。


狂飙1200MHz 32款DDR2内存年末横测

镁光小D9GMH

● Elpida(尔毕达)

  Elpida是由日立和NEC共同出资建立的DRAM厂家,在DDR时代Elpida的颗粒藉藉无名,但是其DDR2颗粒超频表现却非常抢眼,这种颗粒的特点在于不需要较高的电压就可以达到很高的频率,但是加压带来的效果并不明显,而且在高频率下参数的优化不如Micron的小D9。Elpida的优势在于超高的性价比,小D9颗粒多见于一些天价的豪华内存,但主流内存市场上却到处可见Elpida颗粒,和一般的“平民级”内存价格完全一样。

狂飙1200MHz 32款DDR2内存年末横测
Elpida颗粒

● Infineon(英飞凌)

  Infineon在DDR时代表现非常抢眼,其BE-5和CE-5都被许多超频内存采用。到了DDR2时代,Infineon的颗粒也有不错的超频性能,其特点和Elpida比较相似,无须加压就可以工作在极高的频率下,同时对电压的敏感程度并太高。不少DDR2 1066内存都采用了Infineon的颗粒。

狂飙1200MHz 32款DDR2内存年末横测
Infineon颗粒

  Samsung(三星)、Hynix(海力士)、NANYA(南亚)和PSC(力晶)都是实力雄厚的晶圆厂商,在DRAM市场均有可观的占有率。但是它们的可超性比不上我们重点介绍的Infineon、Micron和Elpida,在超频测试中,后三款颗粒的表现不负盛名,但是Samsung、Hynix和PSC颗粒中也有黑马横空出世。各位可以关注我们的超频横性能向对比结果。

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